|
Nie obrażaj więc mojej inteligencji poprzez czynione na pokaz zaniżanie własnej.
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką
Struktura bardziej złożona – połączenie tranzystora bipolarnego (od strony wyjścia) z tranzystorem MOSFET (od strony wejścia). Stosowane w przekształtnikach energoelektronicznych (np. falownikach), gdzie pełnią rolęłączników (zaworów, kluczy) elektronicznych w obwodach o wysokich napięciach (kV) i dużych prądach (10 1 ÷10 3 A). Oznaczenie: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Symbol: Sterowanie napięciowe, dla U GE ≈ 0 tranzystor nie przewodzi, dla U GE powyżej ok. 5 V tranzystor wchodzi w stan przewodzenia; czas zmiany stanu rzędu 1 μ s. Od strony bramki tranzystor zachowuje się jak pojem- ność: w stanie ustalonym prąd zerowy, ale przy przełączaniu konieczne szybkie przeładowanie, co wymaga krótkich impulsów prądowych o dużej amplitudzie – stosuje się specjalne sterowniki bramkowe (tzw. driver’y). Tyrystor Specjalna dioda krzemowa posiadająca dodatkową elektrodę sterującą - bramkę. Nie przewodzi prądu (nawet przy polaryzacji w kierunku przewodzenia), dopóki na bramce nie pojawi się impuls prądu załączającego. Zanik prądu bramki nie przerywa przepływu prądu przez tyrystor. A Charakterystyki statyczne prądowo-napięciowe. G3 G2 G1 AK Stosowane w układach o największym poziomie mocy (napięcia kilka kV, prądy do kilku kA), znacznie dłuższe czasy komutacji niż dla tranzystorów – kilka do kilkadziesiąt mikrosekund. Mogą być stosowane w układach, w których konieczna jest regulacja wartości średniej (lub skutecznej) napięcia, np. w prostowniku sterowanym. z Inne odmiany tyrystorów: TRIAC – (TRIode Alternating Current switch) tyrystor dwukierunkowy, może przewodzić w obydwu kierunkach; działa jak 2 tyrystory połączone równolegle przeciwsobnie, ze wspólną bramką, struktura 5-cio warstwowa. A 1 A G A 2 AK |
Menu
|